首页 > 商品目录 > > > > RH6P040BHTB1代替型号比较

RH6P040BHTB1  与  BSZ440N10NS3 G  区别

型号 RH6P040BHTB1 BSZ440N10NS3 G
唯样编号 A33-RH6P040BHTB1 A3-BSZ440N10NS3 G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.6mΩ@40A,10V 44mΩ@12A,10V
上升时间 - 1.8ns
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 59W 29W
Qg-栅极电荷 - 9.1nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 8S
典型关闭延迟时间 - 9.1ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT8 PG-TSDSON-8
连续漏极电流Id 40A 18A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
配置 - Single
系列 - OptiMOS™
长度 - 3.3mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
下降时间 - 2ns
典型接通延迟时间 - 4.3ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 640pF @ 50V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.7V @ 12µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.1nC @ 10V
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 30 10,000
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥11.0294
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥11.0294 

阶梯数 价格
20: ¥11.0294
30 当前型号
BSZ440N10NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ440N10NS3GATMA1_3.3mm PG-TSDSON-8

暂无价格 10,000 对比
BSZ440N10NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ440N10NS3GATMA1_3.3mm PG-TSDSON-8

¥5.0212 

阶梯数 价格
30: ¥5.0212
50: ¥4.1684
100: ¥3.718
500: ¥3.7084
1,000: ¥3.6989
2,000: ¥3.6797
4,000: ¥3.6605
8,500 对比
BSZ150N10LS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ150N10LS3GATMA1_3.3mm

¥7.8576 

阶梯数 价格
20: ¥7.8576
50: ¥7.5701
100: ¥7.3785
500: ¥7.2827
1,000: ¥7.1868
2,000: ¥6.9952
4,000: ¥6.8994
5,000 对比
BSZ340N08NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ340N08NS3GATMA1_3.3mm PG-TSDSON-8

¥3.0377 

阶梯数 价格
50: ¥3.0377
100: ¥2.7119
500: ¥2.7023
1,000: ¥2.7023
2,000: ¥2.6831
4,000: ¥2.6735
4,795 对比
RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥10.1103 

阶梯数 价格
1: ¥10.1103
100: ¥5.0552
100 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售